- 对于输出电流相对较小的应用场合(小于5A),利用单片电流模式控制器和高端电流取样技术,上述两个问题都可以很好地解决。在这些电路中,二极管被一同步整流开关三极管取代,因此通过关闭内部开关三极管就可把输入输出通路截断,这样一来,负载端对输入端来说就呈高阻状态,而这正是所希望的结果。在正常工作状态,电路内部的高端取样电阻对负载电流周期性地进行采样,因此避免了因过流导致灾难性后果出现。因此,内部过热保护电路为变换器提供了安全工作区(SAO)。
- 其中P沟道增强型MOSFET--Q1是实现负载断路的关键元件。当MAX668在关闭模式时,二极管D1仍然导通,使得MAX810L的电源端的电压为3.3V减去二极管D1的管压降。由于MAX810L的复位门槛电平为4.65V,因此其RESET端输出为高电平,迫使Q1关断,从而使负载与输入电源断开。MAX668通过外部反馈电阻网络设定5V输出电压。当输出电压超MAX810L的复位门槛电平时,其内部单稳电路开始工作并延时约240ms。之后,MAX810L的输出变低,使Q1导通。
- 当外部负载或C2在启动瞬间要汲取较大电流时,快速导通Q1可能使MAX810输入电压低于其复位门槛电压从而导致复位出现,因此在图2基础上再增加一RC网络以减缓其开通过程,合适地选择R、C可使负载连接过程延续到几个MAX668开关工作周期,使MAX668的输出电压一直高于MAX810的复位门槛电压。假如R、C使Q1的导通时间延长,同时也延长了关断时间。因此需要在电阻上并联一肖特基二极管,以加速当负载过载时关闭Q1的进程。为了获得增强型通道及较低的导通电阻,上述电路均需要采用逻辑电平控制的P沟道MOSFET,如果Q1的导通电阻值较大且在其两端产生较大的压降(特别是低输出电压应用场合或负载离电源的距离较远时),则应该从Q1漏极端反馈电压调节输出。
- 由可动触点(sliding contact)、 弹簧(spring)、可熔体(electrically nonconductive thermalpellet)构成。在温度保险丝启动之前电流从左侧引线流向可动触点(sliding contact),通过金属外壳向右侧引线流动。在外部温度达到预定温度时有机物可熔体熔化,压缩弹簧会变松。即弹簧膨胀,可动触点(slidingcontact)与左侧引线分离。回路被打开,可动触点(sliding contact)与左侧引线间电流被切断。温度保险丝能感应电器电子产品非正常运作中产生的过热,从而切断回路以避免火灾的发生。常用于:电吹风、电熨斗、电饭锅、电炉、变压器、电动机、饮水机、咖啡壶等,温度保险丝运作后无法再次使用,只在熔断温度下动作一次。