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可控硅半控半桥、全桥

  • SKR48F12
    驱动器内的保护电路通过 v6 检测到这一状态后 ,一方面在 10μs 内逐步降低栅压 ,使 igbt进入软关断状态 ,另一方面通过光耦 v2 向控制电路发出过流信号。 光电耦合驱动器的最大特点是双侧都是有源的 ,由它提供的正向脉冲及负向封锁脉冲的宽度可以不受限制 ,而且可以较容易地通过检测 igbt通态集电极电压实现各种情况下的过流及短路保护 ,并对外送出过流信号。目前国内外都趋向于把这种驱动器做成厚膜电路的形式 ,因此具有使用较方便 ,一致性及稳定性较好的优点。其不足之处是需要较多的工作电源。 例如 ,全桥式开关电源一般需要四个工作电源 ,从而增加了电路的复杂性。驱动器中的光电耦合器尽管速度较高 ,但对脉冲信号仍会有 1μs左右的滞后时间 ,不适应某些要求较高的场合。 光电耦合器的输入输出间耐压一般为交流2500v ,这对某些场合是不够的。
  • VVZF70-16IO7
    确定igbt门极容量 在设计和选购igbt 驱动器之前,必须首先知道igbt 的门极负荷q,这是一个十分重要的参数,但在igbt 的技术参数中生产厂家一般并不直接给出,而需要我们借助其它参数得到。igbt 具有mosfet 的输入级,在igbt的技术资料中往往有一个参数ciss,一般我们把它叫作输入电容,该电容的测试往往是在ugs=0,uos=25v,f=1mhz 的情况下进行,由于密勒效应, 该值往往比在ugs= o v 时要小,根据实践经验,igbt 的输入电容一般满足下面的公式 cin≈5ciss 一般simens 和 eupec 公司的igbt 满足上述公式。
  • DSEI2X61-12B
    DSEI2X61-12B
  • DSEI2X101-06A
    DSEI2X101-06A
  • DSEI2X101-12A
    DSEI2X101-12A 
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