三极管的脚位判断，三极管的脚位有两种封装排列形式，如右图:三极管是一种结型电阻器件，它的三个引脚都有明显的电阻数据，测试时(以数字万用表为例，红笔+，黑笔-)我们将测试档位切换至 二极管档 (蜂鸣档)标志符号如右图:正常的NPN结构三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的正向电阻是430Ω-680Ω(根据型号的不同，放大倍数的差异，这个值有所不同)反向电阻无穷大;正常的PNP 结构的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极(E)的反向电阻是430Ω-680Ω，正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的情况下，电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻，通常情况下，基极对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100Ω左右(大功率管比较明显)，如果超出这个值，这个元件的性能已经变坏，请不要再使用。
双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.。输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。
IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。在放大区电流电压关系为:UCE=EC-ICRC, IC=βIB在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。极间反向电流:是少数载流子漂移运动的结果。集电极-基极反向饱和电流ICBO :是集电结的反向电流。集电极-发射极反向饱和电流ICEO :它是穿透电流。
这是共发射极组态的击穿电压，即基极开路时、集电极与发射极之间的击穿电压。由于在基极开路时，集电结是反偏、发射结是正偏的，即BJT处于放大状态。温度对的影响: 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。温度对输入特性的影响:温度升高，正向特性将左移。温度对输出特性的影响:温度升高时 增大。光电三极管:依据光照的强度来控制集电极电流的大小。
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