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IXYS

  • MCD26-16IO1B
      在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。现在,画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕,可以看到,只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。Ug到来得早,晶闸管导通的时间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。在电工技术中,常把交流电的半个周期定为180°,称为电角度。这样,在U2的每个正半周,从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α;在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显,α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ,改变负载上脉冲直流电压的平均值UL,实现了可控整流。 
  • MDD95-16N1B
     二极管还具有稳压作用,这是因为二极管反向接通时,在二极管被击穿的情况下,其电流将瞬间增大,这样在外电压增大时,由于二极管被击穿后增加的电流会通过二极管而不会经过与二极管并联的负载上,从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管,即在场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在 4V-7V.

    钳位作用:钳位作用就是利用二极管的正向导通电压在导通后维持在0.2-0.4V(锗管),0.6-0.8V(硅管),从而使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内,最简单就是三极管的BE结电压在导通时可保持在钳位电压,这点常用于三极管的静态分析。一般无特别说明硅管取0.7V,锗管取0.3V。

    一般来说由于硅管的伏安特性曲线在0.7处很陡,也就是说继续增加正向电压会产生很大的电流,换句话说在0.7V左右,随着电流的增加,电压的增加幅度很小,仍然可以认为压降还是0.7V。因为有0.7V的压降,不可以等同于导线二极管两端电压就是压降,当二极管导通时这个电压约为0.7V,当然不是0 。当电流不变化时,可以等同于电阻,其阻值就是0.7V除以电流,但是把它视作一个0.7V的电压源显然更合理。
  • MDD142-16N1
      二极管最重要的特性2113就是单方向导电性。在电路5261中,电流只能从二极4102管的正极流1653入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 1. 正向特性。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。 2. 反向特性。 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
  • MCD94-22IO1B
     工作原理不同5261

    晶闸管T在工作过程中,它4102的阳极A和阴极K与电源和1653负载连接,组成晶闸管的主电路,晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接,组成晶闸管的控制电路。

    晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。

    2、种类不同

    晶闸管按关断、导通及控制方式分类、引脚和极性分类,封装形式分类,电流容量分类,关断速度分类。

    晶体二极管按照所用的半导体材料、不同用途、管芯结构进行分类。

    晶闸管是晶体闸流管的简称,又称做可控硅整流器和可控硅。

    二极管,电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。

  • VUO190-08 N07
     晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

    二极管是最常用的电子元件之一,它最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路。

    1957年美国通用电器公司开发出世界上第一晶闸管产品,并于1958年使其商业化。

    晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极;晶闸管工作条件为:加正向电压且门极有触发电流。

    其派生器件有:快速晶闸管,双向晶闸管,逆导晶闸管,光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件。

    早期的二极管包含“猫须晶体以及真空管,现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。

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