从前面对整流桥带散热器来实现其散热过程的分析中可以看出，整流桥主要的损耗是通过其背面的散热器来散发的，因此在此讨论整流桥壳温如何确定时，就忽约其通过引脚的传热量。现结合RS2501M整流桥在110VAC电源模块上应用的损耗（最大为22.0W）来分析。假设整流桥壳体外表面上的温度为结温（即150.0C），表面换热系数为50.0W/m2C（在一般情况下，强迫风冷的对流换热系数为20~40W/m2C）。那么在环境温度为55.0C时，整流桥的结温与壳体正面的温差远远小于结温与壳体背面的温差，也就是说，实际上整流桥的壳体正表面的温度是远远大于其背面的温度的。如果我们在测量时，把整流桥壳体正面温度（通常情况下比较好测量）来作为我们计算的壳温，那么我们就会过高地估计整流桥的结温了！那么既然如此，我们应该怎样来确定计算的壳温呢？由于整流桥的背面是和散热器相互连接的，并且热量主要是通过散热器散发，散热器的基板温度和整流桥的背面壳体温度间只有接触热阻。一般而言，接触热阻的数值很小，因此我们可以用散热器的基板温度的数值来代替整流桥的壳温，这样不仅在测量上易于实现，还不会给最终的计算带来不可容忍的误差。
整流桥的bai整流作用是通过二极管du的单向导通原理来zhi完dao成工作的，通俗的来说二极管它是正向导通和反向截止，也就是说，二极管只允许它的正极进正电和负极进负电。二极管只允许电流单向通过，所以将其接入交流电路时它能使电路中的电流只按单向流动。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。
整流桥作为一种功率元器件，非常广泛。应用于各种电源设备。其内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。
在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。
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整流桥内部主要是由四个二极管组成的桥路来实现把输入的交流电压转化为输出的直流电压。在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个二极管进行工作，通过二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。对一般常用的小功率整流桥（如：RECTRON SEMICONDUCTOR的RS2501M）进行解剖会发现，该全波整流桥采用塑料封装结构（大多数的小功率整流桥都是采用该封装形式）。桥内的四个主要发热元器件——二极管被分成两组分别放置在直流输出的引脚铜板上。在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板，他们分别与输入引脚（交流输入导线）相连，形成我们在外观上看见的有四个对外连接引脚的全波整流桥。由于该系列整流桥都是采用塑料封装结构，在上述的二极管、引脚铜板、连接铜板以及连接导线的周围充满了作为绝缘、导热的骨架填充物质——环氧树脂。
整流桥就是将整流管封在一个壳内了，分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路， 选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。
整流桥就是将数个整流管封在一个壳内，构成一个完整的整流电路。当功率进一步增加或由于其他原因要求多相整流时三相整流电路就被提了出来。三相整流桥分为三相全波整流桥(全桥)和三相半波整流桥(半桥)两种。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。对输出电压要求高的整流电路需要装电容器，对输出电压要求不高的整流电路的电容器可装可不装。整流二极管的作用具有明显的单向导电性。整流二极管可采用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的作用可以有效的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能优良。整流二极管的作用是利用PN结单向导电特性，把交流电转变成脉动直流电。整流二极管的电流较大，大多采用面接触性料封装。那么整流二极管的作用主要有哪些呢？下面就是小编对于整流二极管的作用的具体介绍。
整流二极管的作用中的反向性，是当整流二极管外加反向电压不超过一定范围时，通过整流二极管的电流少数载流子漂移运动从而形成的反向电流。由于整流二极管的作用反向电流很小，整流二极管处于截止状态。整流二极管的反向饱和电流受温度影响。一般硅整流二极管的作用反向电流比锗整流二极管的作用小得多，小功率硅整流二极管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗整流二极管在μA数量级。当整流二极管温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目也会增加。整流二极管的作用中的反向击穿，反向击穿按机理原理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。整流二极管在高掺杂浓度的情况下，整流二极管因势垒区宽度很小，反向电压较大会破坏势垒区内共价键结构，使电子脱离共价键束缚，产生电子空穴，整流二极管的作用中的另一种击穿为雪崩击穿。当整流二极管反向电压增加到较大数值时，外加电场会使电子漂移速度加快，从而使整流二极管共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子空穴对。
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