发射极电压UE大于峰值电压UP是双基极二极管导通的必要条件。UP不是一个常数，而是取决于分压比η和UBB的大小，即UP=ηUBB+0.7V。由于UP和UBB呈线性关系，所以可以得到稳定的触发电压，又因峰点的电流很小，所以需要的触发电流也很小。谷点电压Uv是维持单结晶体管处于导通状态的最小电压。不同的双基极二极管的谷点电压也不同，一般为2~5V。当UE=Uv时，双基极二极管进入截止状态。由于双基极二极管是一个负阻器件，每一个电流值都会对应一个确定的电压值，但每一个电压值则可能有不同的电流值。根据这一点，可在维持电压不变的情况下，使电流产生跃变，就可以获得较大的脉冲电流。
只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时(图中b)，电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性(见图c),特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。
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