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IGBT模块

  • SKKT132-16E
    晶体管按其结构分为NPN型和PNP型两类。晶体管结构与符号如图所示。它们都有三个区:集电区、基区、发射区;从这三个区引出的电极分别称为集电极c(Collector)、基极b(Base)和发射极e(Emitter)。两个PN结:发射区与基区之间的PN结称为发射结Je,基区与集电区之间的PN结称为集电结Je两种管子的电路符号的发射极箭头方向不同,箭头方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。应当指出,晶体管绝不是两个PN结的简单连接。它采用了以下制造工艺:基区很薄且掺杂浓度低,发射区掺杂浓度高,集电结面积比发射结的面积大等。这些都是为了保证晶体管具有较好的电流放大作用。由于晶体管在结构上有这些特点,所以不能用两个二极管背向连接来说明晶体管的作用,在使用时发射极和集电极一般不能互换。
  • SKKT162  SKKH162
    整流:调整气流、水流或电流的形态,或能对气流、水流或电流的形态进行调整。在电力电子方面:将交流电变换为直流电称为AC/DC变换,这种变换的功率流向是由电源传向负载,称之为整流。整流电路是利用二极管的单向导电性将正负变化的交流电压变为单向脉动电压的电路。在交流电源的作用下,整流二极管周期性地导通和截止,使负载得到脉动直流电。在电源的正半周,二极管导通,使负载上的电流与电压波形形状完全相同;在电源电压的负半周,二极管处于反向截止状态,承受电源负半周电压,负载电压几乎为零。
  • SKKT162-16E
    半波整流是利用二极管的单向导电性进行整流的最常用的电路,常用来将交流电转变为直流电。半波整流利用二极管单向导通特性,在输入为标准正弦波的情况下,输出获得正弦波的正半部分,负半部分则损失掉。它由电源变压器B 、整流二极管D 和负载电阻Rfz,组成。变压器把市电电压(多为220伏)变换为所需要的交变电压e2,D 再把交流电变换为脉动直流电。变压器次级电压e2,是一个方向和大小都随时间变化的正弦波电压,它的波形如图所示。在0~π时间内,e2为正半周即变压器上端为正下端为负,此时二极管承受正向电压面导通,e2通过它加在负载电阻Rfz上。在π~2π 时间内,e2为负半周,变压器次级下端为正上端为负。

     

  • SKKT162-18E
    这种除去半周、留下半周的整流方法,叫半波整流。不难看出,半波整流是以"牺牲"一半交流为代价而换取整流效果的,电流利用率很低(计算表明,整流得出的半波电压在整个周期内的平均值,即负载上的直流电压Usc=0.45e2)因此常用在高电压、小电流的场合,而在一般无线电装置中很少采用。全波整流使交流电的两半周期都得到了利用。其各项整流因数则与半波整流时不同。全波整流电路如图所示。它是由次级具有中心抽头的电源变压器Tr、两个整流二极管D1、D2和负载电阻RL组成。变压器次级电压u21和u22大小相等,相位相反,即 u21 = - u22 。式中,U2 是变压器次级半边绕组交流电压的有效值。
  • SKKT172  SKKH172
    全波整流电路的工作过程是:在u2 的正半周(ωt = 0~π)D1正偏导通,D2反偏截止,RL上有自上而下的电流流过,RL上的电压与u21 相同。在u2 的负半周(ωt =π~2π),D1反偏截止,D2正偏导通,RL上也有自上而下的电流流过,RL上的电压与u22相同。可画出整流波形如图Z0704所示。可见,负载RL上得到的也是一单向脉动电流和脉动电压。其平均值分别为:GS0705流过负载的平均电流为:GS0706选择整流二极管时,应以此二参数为极限参数。
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