价带的电子可以通过热激发或光照等激发到导带中去。由光照激发价带的电子到导带而形成电子 — 空穴对的这个过程称为本征光吸收。

在非竖直跃迁过程中，光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供所需要的动量。与竖直跃迁相比，非竖直跃迁是一个二级过程，发生的几率要小得多，我们把导带底和价带顶处于k空间不同点的半导体称为间接带隙半导体。 （在晶体材料中，声子的波长一般介于光子与电子波长之间） 。

有锗、硅、硒、硼、碲、锑等。50 年代，锗在半导 体中占主导地位，但 锗半导体器件的耐高温和抗辐射性能较差，到 60 年代后期逐渐 被硅材料取代。用硅制造的半导体器件，耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大 功率器件。因此，硅已成为应用最多的一种增导体材料，目前的集成电路大多数是用 硅材料制造的。

2.化合物半导体

由两种或两种以上的元素化合而成的半导体材料。它 的种类很多，重要的有砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等。其中 砷化镓是制造微波器件和集成电的重要材料。碳化硅由于其抗辐射能力强、耐高温和 化学稳定性好，在航天技术领域有着广泛的应用。

所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在 6 个“9”以上 ，最高达 11 个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为 物理提纯； 另一类是把元素先变成化合物进行提纯， 再将提纯后的化合物还原成元素， 称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是 区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。 由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获 得合格的材料。