igbt 承受过流或短路的能力有限 ,故 igbt驱动器还应具有如下功能: (9)当 igbt处于负载短路或过流状态时 ,能在 igbt允许时间内通过逐渐降低栅压自动抑制故障电流 ,实现 igbt 的软关断。其目的是避免快速关断故障电流造成过高的 di/ dt。 在杂散电感的作用下 ,过高的 di/ dt 会产生过高的电压尖峰 ,使 igbt 承受不住而损坏。同理 ,驱动电路的软关断过程不应随输入信号的消失而受到影响 ,即应具有定时逻辑栅压控制的功能。当出现过流时 ,无论此时有无输入信号 ,都应无条件地实现软关断。 在各种设备中 ,二极管的反向恢复、电磁性负载的分布电容及关断吸收电路等都会在igbt开通时造成尖峰电流。驱动器应具备抑制这一瞬时过流的能力 ,在尖峰电流过后 ,应能恢复正常栅压 ,保证电路的正常工作。 (10)在出现短路、过流的情况下 ,能迅速发出过流保护信号 ,供控制电路进行处理。
产品主要应用在：变频器、逆变焊机、高频感应加热、UPS电源、逆变电源、商用电磁炉等领域。
从内部结构来看，双向晶闸管是一种N-P-N-P-N型五层结构的半导体器件，见图3(a)。为了便于说明问题，我们不妨把图3(a)看成是由左右两部分组合而成的，如图3(b)。这样一来，原来的双向晶闸管就被分解成两个P-N-P-N型结构的单向晶闸管了。如果把左边从下往上看的p1-N1-P2-N2部分叫做正向的话，那么右边从下往上看的N3-P1-N1-P2部分就成为反向，它们之间正好是一正一反地并联在一起。我们把这种联接叫做反向并联。因此，从电路功能上可以把它等效成图3(c)，也就是说，一个双向晶闸管在电路中的作用是和两只普通晶闸管反向并联起来等效的。这也正是双向晶闸管为什么会有双向控制导通特性的根本原因。
能向 igbt提供适当的正向栅压 。 igbt导通后的管压降与所加栅源电压有关 ,在漏源电流一定的情况下 , u 越高 , u 就越低 ,gs ds器件的导通损耗就越小 ,这有利于充分发挥管子的工作能力。但是 并非越高越好 一般, ugs ,不允许超过 原因是一旦发生过流或短路20v , ,栅压越高 则电流幅值越高 损坏的可能, ,igbt性就越大。通常 ,综合考虑取 +15v 为宜。 (3) 能向 igbt 提供足够的反向栅压。在igbt关断期间 ,由于电路中其它部分的工作 ,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号。这些信号轻则会使本该截止的 igbt 处于微通状态 ,增加管子的功耗 ,重则将使逆变电路处于短路直通状态。因此 ,最好给应处于截止状态的igbt加一反向栅压(幅值一般为 5~15v) ,使igbt在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。
这次从穿通(PT)型技术先进到非穿通(NPT)型技术，是最基本的，也是很重大的概念变化。这就是:穿通(PT)技术会有比较高的载流子注入系数，而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面，非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率，不过其载流子注入系数却比较低。进而言之，非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替，它类似于某些人所谓的"软穿通"(SPT)或"电场截止"(FS)型技术，这使得"成本-性能"的综合效果得到进一步改善。1996年，CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6]，它采用了弱穿通(LPT)芯片结构，又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种"反向阻断型"(逆阻型)功能或一种"反向导通型"(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究，以求得进一步优化。
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200-1800A/1800-3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。
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