基极间电阻Rbb 发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。分压比η 由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。eb1间反向电压Vcb1 b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。反向电流Ieo b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。发射极饱和压降Veo 在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。峰点电流Ip 单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断。用万用表R×1k档，将黑表笔接发射极E，红表笔依次接两个基极(B1和B2)，正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值。再将红表笔接发射极E，黑表笔依次接两个基极，正常时阻值为无穷大。
双基极二极管的制作过程:在一块高电阻率的N型半导体基片的两端各引出一个铝电极，如图4-9c所示，分别称为第一基极B1和第二基极B2，然后在N型半导体基片一侧埋入P型半导体，在两种半导体的结合部位就形成了一个PN结，再在P型半导体端引出一个电极，称为发射极E。双基极二极管的等效电路如图4-9d所示。双基极二极管B1、B2极之间为高电阻率的N型半导体，故两极之间的电阻RBB较大(约4-12千欧)，以PN结为中心，将N型半导体分为两部分，PN结与B1极之间的电阻用RB1表示，PN结与B2极之间的电阻用RB2表示，RBB=RB1+RB2，E极与N型半导体之间的PN结可等效为一个二极管，用VD表示。
业务咨询
1513253456