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  • DSSK30-018A
    反向击穿的现象发生在很多情况下面,比如二极管,三极管等等。以二极管为例:二极管是正向导通的,二极管两端加反向电压时,电子不能通过二极管,使得二极管相当于断路,但是这个断路取决于把二极管反向接时,二极管两端的电压(即反向电压),如果这个反向电压足够大,二极管就被击穿了(你可以认为变成导线了),此时这个击穿的反向电压就叫反向击穿电压。你也可以从字面做感性的理解:反向击穿,反向,即为方向相反,就是说反着接。击穿,你可以认为原来这是一堵墙,是一条死胡同,不让人通过,击穿了所有人就能通过了(联想一下电流),亦可以理解为高低河岸流而不能倒流,除非有超过河床高度的水流通过。
  • MCC 200-16IO1
    在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此功率,因元件开关损耗显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用.可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等.可控硅的弱点:静态动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通.可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形.
  • MCC 501-16IO1
    双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。第一象限的曲线说明当加到主电极上的电压使Tc对T1的极性为正时,我们称为正向电压,并用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电压UBO时,图3(b)左边的可控硅就触发导通,这时的通态电流为I21,方向是从T2流向Tl。从图中可以看到,触发电流越大,转折电压就越低,这种情形和普通可控硅的触发导通规律是一致的, 当加到主电极上的电压使Tl对T2的极性为正时,叫做反向电压,并用符号U12表示。
  • MCD44-16IO8B
    双向可控硅的主。电极上,无论加以正向电压或是反向电压,也不管触发信号是正向还是反向,它都能被触发导通,因此它有以下四种触发方式:(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压,控制积极G对第一电极Tl所加的也是正向触发信号。双向可控硅触发导通后,电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知,这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的,又因为触发信号是正向的,所以把这种触发叫做"第一象限的正向触发"或称为I+触发方式。(2)如果主电极T2仍加正向电压,而把触发信号改为反向信号(图5b),这时双向可控硅触发导通后,通态电流的方向仍然是从T2到T1。我们把这种触发叫做"第一象限的负触发"或称为I-触发方式。
  • MDD950-18N1W
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