采用CSTBTTM硅片技术的第6代IGBT 宽的安全工作区，杰出的短路鲁棒性 最优的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高结温可达175°C 新型无焊接Al基板，提供更高的温度循环能力（DTc） 内部硅片分布均匀，Rth(j-c)低 内部封装电感低，Lint<10nH 交流和直流主端子分离，便于直流母排连接 多孔型端子使得接触阻抗更低，实现更可靠的长期电气连接 内部集成NTC用于测量Tc温度 P侧和N侧IGBT单元均有辅助集电极端子

电气参数：（1）额定输入电压：660V、440V、380V；
（2）额定输出电压： 440V、380V、220V；
（3）联结方式：Y，yn0、D，yn11、D，y11、Y，d11。
（4）绝缘等级：B级、F级

•适用变换器：推挽式、半桥式、全桥式、正激式、软开关等
•材质：铁基非晶、铁基纳米晶（超微晶）等