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  • 170M8550
    反时限电流保护特性。熔断器具有反时延特性,即过载电流小时,熔断时间长;过载电流大时,熔断时间短。所以,在一定过载电流和过载时间范围内,熔断器是不会熔断的,可连续使用。熔断器有各种不同的熔断特性曲线,可以适用于不同类型保护对象的需要。由于快速熔断器的熔体为具有一系列圆孔狭颈的矩形薄片,且充有石英砂灭弧介质。圆孔狭颈处的截面积小,热容量小,发生短路故障时,故障电流尚未达到预期的短路电流时,即被熔断,电弧被石英砂分隔成许多小段。这样,既限制了短路电流增加,亦加速电弧的熄灭。
  • DSEP15-06A
    快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85nS的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件.通常,5~20A的快恢复二极管采用TO-220FP塑料封装,20A以上的大功率快恢复二极管采用顶部带金属散热片的TO-3P塑料封装,5A一下的快恢复二极管则采用DO-41,DO-15,或D0-27等规格塑料封装。
  • 170M3365
    快速熔断器是一种熔断器的一种,快速熔断器主要用于半导体整流元件或整流装置的短路保护。由于半导体元件的过载能力很低。只能在极短时间内承受较大的过载电流,因此要求短路保护具有快速熔断的能力。快速熔断器的结构和有填料封闭式熔断器基本相同,但熔体材料和形状不同,它是以银片冲制的有V形深槽的变截面熔体。快速熔断器的熔体是由纯银制成的,由于纯银的电阻率低、延展性好、化学稳定性好,因此快速熔断器的熔体可做成薄片,且具有圆孔狭颈结构。发生短路故障时,狭颈处电流密度大,故狭颈处首先熔断,并被石英砂分隔成许多小段。这样,由于熔体熔断而形成的电弧就被石英砂分隔成许多小段,电弧电流较小,分布的空间小,易被消弧剂吸收。又由于石英砂是绝缘的,电弧熄灭后立即形成一个绝缘体,将电路分断。

     

  • 170M8673
    熔断器主要由熔体、外壳和支座3部分组成,其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金,其熔点低容易熔断,由于其电阻率较大,故制成熔体的截面尺寸较大,熔断时产生的金属蒸气较多,只适用于低分断能力的熔断器。高熔点材料如铜、银,其熔点高,不容易熔断,但由于其电阻率较低,可制成比低熔点熔体较小的截面尺寸,熔断时产生的金属蒸气少,适用于高分断能力的熔断器。熔体的形状分为丝状和带状两种。改变变截面的形状可显著改变熔断器的熔断特性。熔断器有各种不同的熔断特性曲线,可以适用于不同类型保护对象的需要。
  • MDT760-16E
    P型半导体与N型半导体相互接触时,其交界区域称为PN结。P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散,造成正负电荷在PN 结两侧的积累,形成电偶极层(图4 )。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时,P区和N区之间形成一定的电势差,称为接触电势差。由于P 区中的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合,而N区中的电子向P区扩散后与P 区中的空穴复合,这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层,故电偶极层也叫阻挡层,阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。
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