CPC1008N
由于在双向可控硅的主。电极上，无论加以正向电压或是反向电压，也不管触发信号是正向还是反向，它都能被触发导通，因此它有以下四种触发方式:(1)当主电极T2对Tl所加的电压为正向电压，控制积极G对第一电极Tl所加的也是正向触发信号(图5a)。双向可控硅触发导通后，电流I2l的方向从T2流向T1。由特性曲线可知，这时双向可控硅触发导通规律是按第二象限的特性进行的，又因为触发信号是正向的，所以把这种触发叫做"第一象限的正向触发"或称为I+触发方式。(2)如果主电极T2仍加正向电压，而把触发信号改为反向信号(图5b)，这时双向可控硅触发导通后，通态电流的方向仍然是从T2到T1。
当可控硅承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式(1—1)中，Ig=0,(a1+a2)很小，故可控硅的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当可控硅在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。 当a1和a2随发射极电流增加而(a1+a2)≈1时，式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了可控硅的阳极电流Ia.这时，流过可控硅的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。可控硅已处于正向导通状态。
当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN 管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
双向可控硅好坏检测方2113法双向可控硅5261是在普通可控硅的基础上发展而成的，它不4102仅能代替两只反极性并联的可控硅1653，而且仅需一个触发电路，是比较理想的交流开关器件。其英文名称TRIAC即三端双向交流开关之意。1.双向可控硅的检测 方法一：测量极间电阻法。将万用表置于皮R×1k档，如果测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻接近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆 时，就说明双向可控硅是好的，可以使用；反之，若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或接近于零时．就说明双向可控硅的性能变坏或击穿损坏。不能使用；如果测得T1－G之间的正反向电阻很大(接近∞)时，说明控制极G与主电极T1之间内部接触不良或开路损坏，也不能使用。
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