在开关状态下，hFE的选择通常有以下认识:第一、hFE应尽可能高，以便用最少的基极电流得到最大的工作电流，同时给出尽可能低的饱和电压，这样就可以同时在输出和驱动电路中降低损耗。

但是，如果考虑到开关速度和电流容限，则hFE的最大值就受到限制;第二、中国的厂家曾经倾向于选用hFE较小的器件，例如hFE为10到15，甚至8到10的三极管就一度很受欢迎(后来，由于基极回路流行采用电容触发线路，hFE的数值有所上升)，hFE的数值小则饱和深度小，从而有利于降低晶体管的发热。

实际上，晶体管的饱和深度受到Ib、hFE两个因素的影响，因而通过磁环及绕组参数、基极电阻Rb的调整，也可以降低饱和深度。

MDD 142-08 N1 

MDD 142-12 N1  

MDD 142-16 N1  

MDD 162-16 N1

MDD 312-16 N1 

MDD26 -14N1B 

MDD26-16IO1B  

MDD44-14IO1B

MDD56-14N1B  

MDD56-16N1B